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IPZ60R017C7XKSA1

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MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4

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IPZ60R017C7XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
240 $18.21408 $4371.3792
16692 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 109A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 58.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 2.91mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9890 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 446W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-4
Paket / Koffer TO-247-4
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