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IRF1010EZPBF

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MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB

nicht konform

IRF1010EZPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.71000 $1.71
50 $1.38120 $69.06
100 $1.21870 $121.87
500 $0.96308 $481.54
1,000 $0.77722 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.5mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2810 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STP130N10F3
APT30M85BVRG
DIT050N06
RSQ035P03HZGTR
DMP3018SFV-7
IXTA3N150HV-TRL
IXTA3N150HV-TRL
$0 $/Stück
RTR020P02HZGTL
SIHP6N40D-E3
SIHP6N40D-E3
$0 $/Stück

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