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IRF135B203

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MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3

IRF135B203 Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF135B203 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.87000 $2.87
10 $2.58900 $25.89
100 $2.08050 $208.05
500 $1.61816 $809.08
1,000 $1.34076 -
2991 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 135 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 129A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.4mOhm @ 77A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9700 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 441W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTP360N80S3Z
NTP360N80S3Z
$0 $/Stück
SIR870BDP-T1-RE3
STF26N65DM2
FQU13N06LTU
FQU13N06LTU
$0 $/Stück
STB75NF75LT4
SIHP15N60E-BE3
AUIRFR4104TRL
SQS484EN-T1_BE3

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