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IRF4104GPBF

IRF4104GPBF

IRF4104GPBF

MOSFET N CH 40V 75A TO220AB

IRF4104GPBF Technisches Datenblatt

compliant

IRF4104GPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFK32N50Q
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$0 $/Stück
2N6798
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IRF740LCSTRL
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