Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IRF4104PBF

IRF4104PBF

IRF4104PBF

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

IRF4104PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF4104PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.85000 $1.85
10 $1.66700 $16.67
100 $1.33970 $133.97
500 $1.04200 $521
1,000 $0.86337 -
998 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

RQ3E100MNTB1
STFI13NK60Z
NTMFS4C06NT3G
NTMFS4C06NT3G
$0 $/Stück
R6076ENZ4C13
NTMJS1D6N06CLTWG
NTMJS1D6N06CLTWG
$0 $/Stück
FDPF18N50T
FDPF18N50T
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.