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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 150 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 900mA (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 1.2Ohm @ 540mA, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 5.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±30V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 88 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro6™(TSOP-6) |
| Paket / Koffer | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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