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IRF5852

IRF5852

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MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

IRF5852 Technisches Datenblatt

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IRF5852 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.7A
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.25V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 400pF @ 15V
Leistung - max. 960mW
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP
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Zugehörige Teilenummer

SI1970DH-T1-GE3
FDD8426H
FDD8426H
$0 $/Stück
MCS8804-TP
FDS4559-F085
FDS4559-F085
$0 $/Stück
ZXMD63P03XTA
SI1033X-T1-GE3
SP8J5TB
SP8J5TB
$0 $/Stück

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