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IRF60B217

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MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

IRF60B217 Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF60B217 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.93000 $1.93
500 $1.9107 $955.35
1000 $1.8914 $1891.4
1500 $1.8721 $2808.15
2000 $1.8528 $3705.6
2500 $1.8335 $4583.75
2645 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2230 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FCA20N60-F109
FCA20N60-F109
$0 $/Stück
RM60N75LD
RM60N75LD
$0 $/Stück
SIHD6N80E-GE3
NTD4808N-35G
NTD4808N-35G
$0 $/Stück
FQPF34N20L
SQJ459EP-T2_GE3
IXTA180N10T
IXTA180N10T
$0 $/Stück

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