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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 100 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 62mOhm @ 5A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 4.8V @ 25µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 11.7 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 530 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ SH |
| Paket / Koffer | DirectFET™ Isometric SH |
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