Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 11A (Ta), 35A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 8mOhm @ 11A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.35V @ 25µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1140 pF @ 15 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta), 17W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DirectFET™ Isometric S1 |
| Paket / Koffer | DirectFET™ Isometric S1 |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.