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IRF7456PBF

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MOSFET N-CH 20V 16A 8SO

IRF7456PBF Technisches Datenblatt

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IRF7456PBF Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3640 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

SI4493DY-T1-E3
ZVN0540ASTOB
STP200N6F3
STP200N6F3
$0 $/Stück
IPU06N03LB G
IRF7204
IRF7204
$0 $/Stück
IPI14N03LA
FQB2N60TM
FQB2N60TM
$0 $/Stück

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