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Name | Wert |
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Produktstatus | Last Time Buy |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 6.5A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.5V, 4.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ ID | 1.2V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 22 nC @ 5 V |
vgs (max) | ±12V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1310 pF @ 15 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | Micro8™ |
Paket / Koffer | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
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