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IRF7706

IRF7706

IRF7706

MOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP

IRF7706 Technisches Datenblatt

compliant

IRF7706 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2211 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.51W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

SI6467BDQ-T1-GE3
FDD6637-F085
FDD6637-F085
$0 $/Stück
STD100N10LF7AG
SI7495DP-T1-E3
STL9P2UH7
STL9P2UH7
$0 $/Stück
SUM40N15-38-E3
NTBV75N06T4G
NTBV75N06T4G
$0 $/Stück
IRFZ34NLPBF
RRS130N03TB1

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