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IRF8910GPBF

IRF8910GPBF

IRF8910GPBF

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO

IRF8910GPBF Technisches Datenblatt

compliant

IRF8910GPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A
rds ein (max) @ id, vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.55V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 960pF @ 10V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
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