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IRFB3207PBF

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MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

IRFB3207PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFB3207PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.44000 $3.44
50 $2.81140 $140.57
100 $2.54850 $254.85
500 $2.02258 $1011.29
1,000 $1.70700 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7600 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 330W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTH4LN095N65S3H
NTH4LN095N65S3H
$0 $/Stück
FDMS0308AS
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$0 $/Stück
IRFL024ZTRPBF
RM27P30LDV
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$0 $/Stück
TP0610T-G
IRFU430APBF
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$0 $/Stück
FDS3612

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