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IRFB3306PBF

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MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

IRFB3306PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRFB3306PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.09000 $2.09
50 $1.70820 $85.41
100 $1.54840 $154.84
500 $1.22882 $614.41
1,000 $1.03709 -
11602 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4520 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDPF085N10A
FDPF085N10A
$0 $/Stück
AUIRFB3806
IXTA36P15P-TRL
IXTA36P15P-TRL
$0 $/Stück
IRL520NPBF
ZXMN6A09KQTC
DMP4051LK3Q-13

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