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IRFB4127PBF

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IRFB4127PBF

MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB

IRFB4127PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRFB4127PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.50000 $4.5
10 $4.04200 $40.42
100 $3.36190 $336.19
500 $2.77202 $1386.01
1,000 $2.37875 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 76A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5380 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

2V7002KT1G
2V7002KT1G
$0 $/Stück
DI040P04D1-AQ
FDZ7064S
NTE2371
NTE2371
$0 $/Stück
IXTH64N65X
IXTH64N65X
$0 $/Stück
PSMN0R9-25YLDX
FDMC8884

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