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IRFB4332PBF

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MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB

IRFB4332PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFB4332PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.39000 $4.39
50 $3.52680 $176.34
100 $3.21340 $321.34
500 $2.60206 $1301.03
1,000 $2.19450 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 33mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5860 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FQPF22P10
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IRLR2905ZPBF
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