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IRFB7530PBF

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MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

IRFB7530PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFB7530PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.61000 $3.61
10 $3.24500 $32.45
100 $2.69880 $269.88
500 $2.22526 $1112.63
1,000 $1.90957 -
6839 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 195A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 411 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13703 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTMYS1D2N04CLTWG
NTMYS1D2N04CLTWG
$0 $/Stück
FDME905PT
FDME905PT
$0 $/Stück
AUIRFR8405TRL
IRF630STRLPBF
BUZ22E3045A
SI7110DN-T1-E3
NTB22N06T4
NTB22N06T4
$0 $/Stück
SQM40081EL_GE3

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