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IRFHM8363TR2PBF

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IRFHM8363TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

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IRFHM8363TR2PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A
rds ein (max) @ id, vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1165pF @ 10V
Leistung - max. 2.7W
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
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Zugehörige Teilenummer

PMV30XPEA,215-NXP
PMDPB760ENX
GWM180-004X2-SMD
GWM180-004X2-SMD
$0 $/Stück
FDMD8430
FDMD8430
$0 $/Stück
MCX3152P-TP
VKM40-06P1
VKM40-06P1
$0 $/Stück
MIC94030BM4 TS
MIC94030BM4 TS
$0 $/Stück

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