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IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF

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MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

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IRFHM8363TRPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $0.38500 -
7329 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A
rds ein (max) @ id, vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1165pF @ 10V
Leistung - max. 2.7W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
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