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IRFP4668PBF

IRFP4668PBF

IRFP4668PBF

MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC

IRFP4668PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRFP4668PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.12000 $8.12
25 $6.75440 $168.86
100 $6.14660 $614.66
500 $5.23494 $2617.47
1,000 $4.62719 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.7mOhm @ 81A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 241 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10720 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS5H630NLT1G
NTMFS5H630NLT1G
$0 $/Stück
STB19NM65N
STB19NM65N
$0 $/Stück
NVMFS6H852NT1G
NVMFS6H852NT1G
$0 $/Stück
SIRA01DP-T1-GE3
BST82,215
BST82,215
$0 $/Stück
SI2314EDS-T1-E3
FDS7060N7
IPP80R1K2P7
FDMS86103L
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$0 $/Stück
STS6P3LLH6
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$0 $/Stück

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