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IRFR3709Z

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MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

IRFR3709Z Technisches Datenblatt

compliant

IRFR3709Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 86A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2330 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IXFC13N50
IXFC13N50
$0 $/Stück
IRF6603
IRF6603
$0 $/Stück
MTD6N20ET4
MTD6N20ET4
$0 $/Stück
NVGS3443T1G
NVGS3443T1G
$0 $/Stück
BSP373L6327
RSD200N10TL
IXFT9N80Q
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$0 $/Stück

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