Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IRFR812PBF

IRFR812PBF

IRFR812PBF

MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

IRFR812PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRFR812PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
375 $0.86000 $322.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 810 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IRFBF30S
IRFBF30S
$0 $/Stück
PSMN8R5-108ES
PSMN8R5-108ES
$0 $/Stück
RTR011P02TL
STP80NE06-10
IRF740
IRF740
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.