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IRFU13N15D

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MOSFET N-CH 150V 14A IPAK

IRFU13N15D Technisches Datenblatt

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IRFU13N15D Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 620 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 86W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket IPAK (TO-251AA)
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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