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IRL3102PBF

IRL3102PBF

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MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB

IRL3102PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRL3102PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 61A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 7V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 37A, 7V
vgs(th) (max) @ ID 700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 89W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF7534D1
IRFIBC30G
IRFIBC30G
$0 $/Stück
PHU66NQ03LT,127
PHU66NQ03LT,127
$0 $/Stück
SFW9640TM
SFW9640TM
$0 $/Stück
BSS84W-7
BSS84W-7
$0 $/Stück
BSH114,215
BSH114,215
$0 $/Stück
NTB45N06LT4G
NTB45N06LT4G
$0 $/Stück
NDT02N60ZT3G
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$0 $/Stück
NDT452P
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$0 $/Stück
IXTA130N065T2
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$0 $/Stück

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