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IRL40B212

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MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB

IRL40B212 Technisches Datenblatt

nicht konform

IRL40B212 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.36000 $3.36
10 $2.99800 $29.98
100 $2.45800 $245.8
500 $1.99034 $995.17
1,000 $1.67860 -
2987 items
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 195A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 137 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8320 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 231W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDB5690
IRF7805ZTRPBF
SI3469DV-T1-BE3
SI4100DY-T1-E3
STB17N80K5
STB17N80K5
$0 $/Stück
RFD14N05L
RFD14N05L
$0 $/Stück
STP75NF20
STP75NF20
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