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IRL40B215

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MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

IRL40B215 Technisches Datenblatt

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IRL40B215 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.20285 -
2217 items
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7mOhm @ 98A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5225 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 143W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDPF5N50NZ
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NTMJS0D9N04CTWG
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MPF4856RLRA
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STI6N95K5
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FCP4N60
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NTMS4872NR2G
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FDS6682
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RCX200N20
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