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IRLB4030PBF

IRLB4030PBF

IRLB4030PBF

MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

IRLB4030PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRLB4030PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.60000 $4.6
10 $4.13400 $41.34
100 $3.43840 $343.84
500 $2.83510 $1417.55
1,000 $2.43290 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.3mOhm @ 110A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11360 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 370W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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