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IRLL3303PBF

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MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

IRLL3303PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRLL3303PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.30000 $1.3
10 $1.16000 $11.6
100 $0.92870 $92.87
500 $0.73340 $366.7
1,000 $0.59135 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 31mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 840 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

BUK6215-75C,118
BUK6215-75C,118
$0 $/Stück
PHP36N03LT,127
IXFH58N20Q
IXFH58N20Q
$0 $/Stück
SUD23N06-31L-E3
APT20N60BC3G
IRFP450B
IRFP450B
$0 $/Stück
HUF75333S3ST
IRF720S
IRF720S
$0 $/Stück
FDD45AN06LA0_F085
FDD45AN06LA0_F085
$0 $/Stück
IPP11N03LA

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