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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 2.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | - |
| rds ein (max) @ id, vgs | 200mOhm @ 1.6A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 11 nC @ 10 V |
| vgs (max) | - |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 170 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro6™(SOT23-6) |
| Paket / Koffer | SOT-23-6 |
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