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IRLU3636PBF

IRLU3636PBF

IRLU3636PBF

MOSFET N-CH 60V 50A IPAK

IRLU3636PBF Technisches Datenblatt

compliant

IRLU3636PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.91699 -
1299 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 49 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3779 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 143W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-PAK
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

IXTP3N100D2
IXTP3N100D2
$0 $/Stück
TP2635N3-G
NTMFS5C677NLT1G
NTMFS5C677NLT1G
$0 $/Stück
NDUL03N150CG
NDUL03N150CG
$0 $/Stück
SIRA20DP-T1-RE3
STB55NF06T4
DMP3020LSS-13

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