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ISC058N04NM5ATMA1

ISC058N04NM5ATMA1

ISC058N04NM5ATMA1

40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

nicht konform

ISC058N04NM5ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.39000 $1.39
500 $1.3761 $688.05
1000 $1.3622 $1362.2
1500 $1.3483 $2022.45
2000 $1.3344 $2668.8
2500 $1.3205 $3301.25
23497 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Ta), 63A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.8mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 13µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8 FL
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXFH72N30X3
IXFH72N30X3
$0 $/Stück
FQPF22N30
1HP04CH-TL-W
1HP04CH-TL-W
$0 $/Stück
IRF820ASPBF
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$0 $/Stück
IRFP450APBF
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$0 $/Stück
IXTA6N100D2HV
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$0 $/Stück
SQ2351ES-T1_GE3
APT50N60JCCU2
STP6NK90ZFP

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