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PTFA181001GL V1

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PTFA181001GL V1

PTFA181001GL V1

Infineon Technologies

IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2

PTFA181001GL V1 Technisches Datenblatt

compliant

PTFA181001GL V1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp LDMOS
Frequenz 1.88GHz
gewinnen 16.5dB
Spannungsprüfung 28 V
Nennstrom (Ampere) 1µA
Rauschzahl -
aktuell - test 750 mA
Leistung - Leistung 100W
Spannung - Nenn 65 V
Paket / Koffer 2-Flatpack, Fin Leads
Lieferantengerätepaket PG-63248-2
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Zugehörige Teilenummer

MRFE6S9125NR1
NXP USA Inc.
MRFE6S9125NR1
$0 $/Stück
BLF6G20LS-180RN,11
Ampleon USA Inc.
BLF6G20LS-180RN,11
$0 $/Stück
ON5154,127
NXP USA Inc.
ON5154,127
$0 $/Stück
MRF6S21100HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S21100HSR3
$0 $/Stück
MRF7S15100HR3
NXP USA Inc.
MRF7S15100HR3
$0 $/Stück
PD57070S-E
STMicroelectronics
PD57070S-E
$0 $/Stück
MRF7S19210HSR3
NXP USA Inc.
MRF7S19210HSR3
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3SK292(TE85R,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
3SK292(TE85R,F)
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BLF6G22LS-180RN:11
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BF862,235
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BF862,235
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