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SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

SI4410DYPBF Technisches Datenblatt

compliant

SI4410DYPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,800 $0.44372 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1585 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

IRLU3303PBF
STD5407NT4G
STD5407NT4G
$0 $/Stück
BUZ32 H
BUZ32 H
$0 $/Stück
IRF820STRR
IRF820STRR
$0 $/Stück
MMSF7P03HDR2
MMSF7P03HDR2
$0 $/Stück
STW16NK60Z
STW16NK60Z
$0 $/Stück
SI1470DH-T1-E3
STP20NM65N
STP20NM65N
$0 $/Stück
SI7407DN-T1-GE3

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