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SPB02N60C3

SPB02N60C3

SPB02N60C3

N-CHANNEL POWER MOSFET

SPB02N60C3 Technisches Datenblatt

compliant

SPB02N60C3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
11500 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

IXTP86N20X4
IXTP86N20X4
$0 $/Stück
ZXMP10A13FQTA
MMFTP5618
FCP850N80Z
FCP850N80Z
$0 $/Stück
SIHU3N50D-E3
SIHU3N50D-E3
$0 $/Stück
SIHA15N60E-E3

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