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SPB100N04S2-04

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MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

nicht konform

SPB100N04S2-04 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.47000 $1.47
500 $1.4553 $727.65
1000 $1.4406 $1440.6
1500 $1.4259 $2138.85
2000 $1.4112 $2822.4
2500 $1.3965 $3491.25
433 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 172 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7220 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTBGS4D1N15MC
NTBGS4D1N15MC
$0 $/Stück
IXTK40P50P
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$0 $/Stück
PMV185XN,215
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$0 $/Stück
MCH6344-TL-W
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$0 $/Stück
BUK9214-30A,118
AUIRF7648M2TR
IXFH30N50Q3
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FDMS7658AS
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