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SPI80N03S2L-06

SPI80N03S2L-06

SPI80N03S2L-06

MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3

compliant

SPI80N03S2L-06 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 80µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2530 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO262-3-1
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

FDS6298_G
FDS6298_G
$0 $/Stück
FQB12N60CTM
FQP9N25C
IRFL014TR
IRFL014TR
$0 $/Stück
FQI27P06TU
FQI27P06TU
$0 $/Stück
AUIRLS3036-7P
SI5463EDC-T1-E3

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