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IGN1011L70

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IGN1011L70

IGN1011L70

Integra Technologies Inc.

GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

IGN1011L70 Technisches Datenblatt

nicht konform

IGN1011L70 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $222.00000 $222
500 $219.78 $109890
1000 $217.56 $217560
1500 $215.34 $323010
2000 $213.12 $426240
2500 $210.9 $527250
11 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp GaN HEMT
Frequenz 1.03GHz ~ 1.09GHz
gewinnen 22dB
Spannungsprüfung 50 V
Nennstrom (Ampere) -
Rauschzahl -
aktuell - test 22 mA
Leistung - Leistung 80W
Spannung - Nenn 120 V
Paket / Koffer PL32A2
Lieferantengerätepaket PL32A2
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Zugehörige Teilenummer

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MMBFJ309LT1G
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MMBFJ309LT1G
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NXP USA Inc.
BF1108,215
$0 $/Stück
BLP05H675XRGY
Ampleon USA Inc.
BLP05H675XRGY
$0 $/Stück
AFT20S015GNR1
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AFT20S015GNR1
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PD55008TR-E
STMicroelectronics
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