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IGN1214L500B

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IGN1214L500B

IGN1214L500B

Integra Technologies Inc.

GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

IGN1214L500B Technisches Datenblatt

compliant

IGN1214L500B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1018.30000 $1018.3
500 $1008.117 $504058.5
1000 $997.934 $997934
1500 $987.751 $1481626.5
2000 $977.568 $1955136
2500 $967.385 $2418462.5
5 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp HEMT
Frequenz 1.2GHz ~ 1.4GHz
gewinnen 15dB
Spannungsprüfung 50 V
Nennstrom (Ampere) -
Rauschzahl -
aktuell - test 200 mA
Leistung - Leistung 650W
Spannung - Nenn 160 V
Paket / Koffer PL95A1
Lieferantengerätepaket PL95A1
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Zugehörige Teilenummer

2SK2864-TL-E
onsemi
2SK2864-TL-E
$0 $/Stück
EMH2401-TL-E
onsemi
EMH2401-TL-E
$0 $/Stück
ECH8602R-TL-H
onsemi
ECH8602R-TL-H
$0 $/Stück
A3G26H501W17SR3
NXP USA Inc.
A3G26H501W17SR3
$0 $/Stück
2SK2010-CTV-YA14
onsemi
2SK2010-CTV-YA14
$0 $/Stück
2SK937Y4-AA
onsemi
2SK937Y4-AA
$0 $/Stück
ART150FEU
Ampleon USA Inc.
ART150FEU
$0 $/Stück
A2T26H160-24SR3
Freescale Semiconductor
A2T26H160-24SR3
$0 $/Stück
MMRF1304NR1
NXP Semiconductors
MMRF1304NR1
$0 $/Stück
3SK255-T2-A
Renesas Electronics America Inc
3SK255-T2-A
$0 $/Stück
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