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IV1D06006O2

IV1D06006O2

IV1D06006O2

Inventchip

SIC DIODE, 650V 6A, TO-220-2

IV1D06006O2 Technisches Datenblatt

compliant

IV1D06006O2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.37000 $4.37
500 $4.3263 $2163.15
1000 $4.2826 $4282.6
1500 $4.2389 $6358.35
2000 $4.1952 $8390.4
2500 $4.1515 $10378.75
190 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 17.4A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.65 V @ 6 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 10 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 212pF @ 1V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-220-2
Lieferantengerätepaket TO-220-2
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

NSR01L30P2T5G
NSR01L30P2T5G
$0 $/Stück
CSFA105-G
CSFA105-G
$0 $/Stück
SBR8A45SP5-13
SJPW-F6V
SJPW-F6V
$0 $/Stück
NSVBAS19LT1G
NSVBAS19LT1G
$0 $/Stück
CGRB207-G
CGRB207-G
$0 $/Stück

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