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IV1D12010T2

IV1D12010T2

IV1D12010T2

Inventchip

SIC DIODE, 1200V 10A, TO-247-2

IV1D12010T2 Technisches Datenblatt

compliant

IV1D12010T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.78000 $11.78
500 $11.6622 $5831.1
1000 $11.5444 $11544.4
1500 $11.4266 $17139.9
2000 $11.3088 $22617.6
2500 $11.191 $27977.5
120 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 30A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.8 V @ 10 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 575pF @ 1V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-247-2
Lieferantengerätepaket TO-247-2
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C (TJ)
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