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IV1D12020T3

IV1D12020T3

IV1D12020T3

Inventchip

SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T

SOT-23

IV1D12020T3 Technisches Datenblatt

nicht konform

IV1D12020T3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $19.17000 $19.17
500 $18.9783 $9489.15
1000 $18.7866 $18786.6
1500 $18.5949 $27892.35
2000 $18.4032 $36806.4
2500 $18.2115 $45528.75
120 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) (pro Diode) 30A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.8 V @ 20 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 100 µA @ 1200 V
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247-3
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