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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| Diodentyp | Single Phase |
| Technologie | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - Spitzenrückwärtsspannung (max.) | 1.2 kV |
| Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) | 6.6 A |
| Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | 2.1 V @ 4 A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ vr | 200 µA @ 1200 V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Koffer | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS i4-PAC™ |
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