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IRFP470

IRFP470

IRFP470

IXYS

MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD

IRFP470 Technisches Datenblatt

compliant

IRFP470 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 230mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

APT6017B2LLG
ZXMN10A25K
SN7002W E6433
FDP075N15A
FDP075N15A
$0 $/Stück
BUK9614-60E,118
IRFL9110PBF
IRFL9110PBF
$0 $/Stück
SI4462DY-T1-E3
IRF620STRR
IRF620STRR
$0 $/Stück
IRFZ34E
IRFZ34E
$0 $/Stück

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