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IXFA10N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 10A TO263

IXFA10N80P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFA10N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.16000 $3.16
50 $2.54260 $127.13
100 $2.31650 $231.65
500 $1.87580 $937.9
1,000 $1.58200 -
18 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2050 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (IXFA)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

2SK1461
2SK1461
$0 $/Stück
SCTWA50N120
FQB16N15TM
DMN80H2D0SCTI
FDMC007N08LC
FDMC007N08LC
$0 $/Stück
BUK78150-55A/CUX
AUIRF3805S-7P
SI2319DS-T1-E3

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