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IXFB62N80Q3

IXFB62N80Q3

IXFB62N80Q3

IXYS

MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264

IXFB62N80Q3 Technisches Datenblatt

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IXFB62N80Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
25 $26.40120 $660.03
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 62A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 140mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1560W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS264™
Paket / Koffer TO-264-3, TO-264AA
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Zugehörige Teilenummer

STD3NK90ZT4
FDMS7556S
FDMS7556S
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FKI10198
FKI10198
$0 $/Stück
NVD4808NT4G
NVD4808NT4G
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IXFA14N60P
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IXFA130N15X3
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