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IXFB82N60Q3

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

IXFB82N60Q3 Technisches Datenblatt

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IXFB82N60Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
25 $26.40120 $660.03
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 82A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 275 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1560W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS264™
Paket / Koffer TO-264-3, TO-264AA
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Zugehörige Teilenummer

RZQ045P01TR
MTW24N40E
MTW24N40E
$0 $/Stück
DMN61D9UWQ-13
DMN61D9UT-7
VN2406L-G
IRFU9014PBF
IRFU9014PBF
$0 $/Stück
FCA76N60N
FCA76N60N
$0 $/Stück

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