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IXFE44N50Q

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B

IXFE44N50Q Technisches Datenblatt

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IXFE44N50Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $18.64800 $186.48
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 39A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IRFU4105PBF
IXTU1R4N60P
IXTU1R4N60P
$0 $/Stück
HUFA75429D3ST
HUFA75429D3ST
$0 $/Stück
IRFR130ATM
IRFR130ATM
$0 $/Stück
SI7425DN-T1-GE3
STL23NM60ND
IRLU7833
IRLR8103VPBF
IRFS31N20DTRR

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