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IXFH10N100P

IXFH10N100P

IXFH10N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD

IXFH10N100P Technisches Datenblatt

compliant

IXFH10N100P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $4.90500 $147.15
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3030 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 380W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

R6520KNJTL
R6520KNJTL
$0 $/Stück
STP11NM65N
STP11NM65N
$0 $/Stück
IXFA76N15T2-TRL
IXFA76N15T2-TRL
$0 $/Stück
STP7N52K3
STP7N52K3
$0 $/Stück
DMP4010SK3Q-13
DMN3026LVTQ-7
NTLUS3A40PZTAG
NTLUS3A40PZTAG
$0 $/Stück
SI8416DB-T2-E1
SQD100N04-3M6L_GE3

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